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　　石英坩堝是一種耐溫性強、錦州坩堝高純度的器皿在我們生活中的使用也是比較廣泛的，它在拉單晶的時候有比較好的效果。但是很多人對產(chǎn)品的晶體中含氧量的影響不是很了解，接下來我們就一起來了解下：
　　1、單晶中氧的主要來源
　　雖然坩堝的熔點要高于硅料的熔點，但是在高溫過程中熔融的液態(tài)硅會侵蝕坩堝，錦州坩堝從而導(dǎo)致少量的氧進入晶體內(nèi)部。在硅的熔點（1420℃）附近，溶硅與坩堝作用，生成SIO進入硅溶體。然后經(jīng)過機械對流、熱對流等方式使SIO傳輸?shù)饺垠w表面，因此到達硅熔體表面的SIO以氣體形式揮發(fā)，而剩下的一小部分SIO溶解在硅液中以氧原子形態(tài)存在于液體硅中之后進入晶體內(nèi)從而影響單晶的氧含量。
　　2、坩堝阻止氧含量釋放的措施
　　氧主要來源于石英坩堝，因此如何降低坩堝中氧的釋放則是單晶降低氧含量的重要手段，錦州坩堝而產(chǎn)品品質(zhì)的好壞直接關(guān)系到放含量的釋放程度。坩堝中氧的釋放過程實際上就是坩堝氣泡層穿透透明層向硅液中釋放氧的過程，而在坩堝內(nèi)層燒結(jié)一層 3-5mm左右的透明層，從而既保證了坩堝內(nèi)表面的純度又不致于使坩堝軟化點過低。因此，坩堝透明層的質(zhì)量好壞決定了坩堝氣泡的釋放程度。
　　以上就是小編與大家分享的關(guān)于石英坩堝對晶體中氧含量的影響，分別從單晶中氧的來源和坩堝阻止氧含量釋放的措施介紹了，希望可以幫助到大家在使用石英坩堝的時候能夠更加的順利。